VeTek semiconductor är en ledande tillverkare av tantalkarbidbeläggningsmaterial för halvledarindustrin. Våra huvudsakliga produkterbjudanden inkluderar CVD-tantalkarbidbeläggningsdelar, sintrade TaC-beläggningsdelar för SiC-kristalltillväxt eller halvledarepitaxiprocess. Godkänt ISO9001, VeTek Semiconductor har bra kontroll på kvaliteten. VeTek Semiconductor är dedikerade till att bli innovatör inom tantalkarbidbeläggningsindustrin genom pågående forskning och utveckling av iterativ teknologi.
Huvudprodukterna är TaC-belagd styrring, CVD TaC-belagd styrring med tre kronblad, Tantalkarbid TaC-belagd Halfmoon, CVD TaC-beläggning planetär SiC epitaxiell susceptor, Tantalkarbidbeläggningsring, Tantalkarbidbelagd porös grafit, TaC-beläggning Rotationssusceptor, TaC-coating, TaC-rotation, TaC-coating, Plata Carbide susceptor, TaC Coated Deflector Ring, CVD TaC Coating Cover, TaC Coated Chuck etc., renheten är under 5ppm, kan uppfylla kundernas krav.
TaC-beläggningsgrafit skapas genom att belägga ytan på ett grafitsubstrat med hög renhet med ett fint lager av tantalkarbid genom en egenutvecklad process för kemisk ångavsättning (CVD). Fördelen visas på bilden nedan:
Tantalkarbidbeläggningen (TaC) har fått uppmärksamhet på grund av sin höga smältpunkt på upp till 3880°C, utmärkta mekaniska hållfasthet, hårdhet och motståndskraft mot termiska stötar, vilket gör den till ett attraktivt alternativ till sammansatta halvledarepitaxiprocesser med högre temperaturkrav, såsom Aixtron MOCVD-system och LPE SiC-epitaximetoder för växtprocesser i den.
Nyckelfunktioner
● Temperaturstabilitet upp till 2500°C med utmärkt motståndskraft mot termisk stöt.
● Ultrahög renhet (<5ppm) och stark vidhäftning till grafit för minimal partikelgenerering.
● Överlägsen motståndskraft mot H₂, NH₃, SiH₄ och Si-ångor i tuffa processmiljöer.
● Konform beläggningstäckning med storlekskapacitet upp till 750 mm diameter, unikt tillgänglig i Kina.
Produktspecifikation
Parameter för VeTek Semiconductor Tantalkarbidbeläggning:
| Fysiska egenskaper hos TaC-beläggning |
| Densitet |
14,3 g/cm³ |
| Hårdhet |
2000 HK |
| Termisk expansion |
6,3×10⁻⁶/K |
| Motstånd |
1×10⁻⁵ Ohm·cm |
| Termisk stabilitet |
<2500°C |
| Beläggningstjocklek |
≥20μm (typiskt 35±10μm) |
karbid (TaC) beläggning på ett mikroskopiskt tvärsnitt:
TaC-beläggning EDX-data:
TaC beläggning kristallstruktur data:
| Element |
Atomprocent |
|
|
Pt. 1 |
Pt. 2 |
Pt. 3 |
Genomsnitt |
| C K |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| Ta M |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
Ansökningar
För att möta de olika behoven av halvledarprocesser erbjuder VeTek riktade tantalkarbidbeläggningsprodukter. Följande tabell klassificerar dem efter huvudsakliga applikationsområden, listar typiska komponenter och tillämpliga processer:
| Ansökningsfält |
Typiska produkter |
Applikationsbeskrivning |
| SiC Epitaxi |
CVD TaC-belagd planetär susceptor,TaC-belagd wafer-susceptor,TaC-belagd styrring
|
Lämplig för högtemperatur SiC epitaxiella processer (t.ex. LPE-metoden), vilket ger hög termisk stabilitet och ett gränssnitt med låg kontaminering för att säkerställa filmlikformighet. |
| GaN/LED-epitaxi (MOCVD) |
Duschmunstycke, satellitskiva, maskeringsring, värmesköld, insprutningsmunstycke |
Lämplig för Aixtron MOCVD-system, motståndskraftig mot H₂/NH₃-korrosion, minskar partikelkontamination och förbättrar LED-epitaxialutbytet. |
| SiC Crystal Growth (PVT-metod) |
TaC-belagd porös grafit,TaC-belagd halvmåne,styrring,täcka,chuck
|
Används i PVT SiC-göttillväxt, tål upp till 2500°C, förhindrar grafitreaktioner och säkerställer kristallrenhet. |
| Högtemperaturuppvärmning och stödkomponenter |
Induktiv värmemottagare,resistivt värmeelement, waferbärare
|
Lämplig för induktions- eller resistiva värmesystem, erbjuder hög hårdhet och värmechockbeständighet, vilket förlänger komponenternas livslängd med 3–5 gånger. |
För mer detaljerade processmatchningslösningar, seKiselkarbidepitaxirelaterad applikationssida.
Vi stödjer kundanpassade tjänster utifrån kundens önskemål. Godkänd ISO9001 med bra kvalitetskontroll.
Välkommen att kontakta oss för vidare konsultation eller lämna ett meddelande
