VETEK CVD TaC Coated Susceptor kombinerar ett högrent isostatiskt grafitsubstrat med en tät CVD tantalkarbid (TaC) beläggning för att leverera exceptionell termisk stabilitet, korrosionsbeständighet och låg partikelgenerering för krävande halvledarepitaxi. Designad för SiC, GaN och AlN epitaxiell tillväxt, minimerar den kontaminering, förbättrar wafertemperaturens enhetlighet och förlänger komponenternas livslängd i högtemperatur MOCVD- och CVD-processer.
•Högtemperaturstabilitet: Bibehåller stabil prestanda under långvariga bearbetningsförhållanden vid hög temperatur. •Korrosionsbeständighet: Den täta TaC-beläggningen ger effektivt skydd mot korrosiva processgaser. •Låg partikelgenerering: En tät beläggningsstruktur hjälper till att minska kontaminering under epitaxiell tillväxt. • Utmärkt termisk enhetlighet: Stöder jämn värmefördelning för förbättrad processkonsistens. • Lång livslängd: Hög slitstyrka bidrar till minskat underhåll och längre driftscykler.
Ansökningar
Typiska applikationer inkluderar:
• SiC epitaxiell tillväxt
• GaN MOCVD-epitaxi
• AlN epitaxiell tillväxt
• Tredje generationens halvledartillverkning
• Kraftfull elektronik
• RF-enheter
• MicroLED-produktion
• Forskning och pilotproduktionssystem
Kompatibel utrustning
Kompatibla plattformar inkluderar:
• Aixtron
• LPE
• Veeco
• AMEC
• NuFlare
• Anpassade CVD- och MOCVD-reaktorer
Finns även:
• Waferbärare
• Planetariska susceptorer
• Fatsusceptorer
• Rotationsskivor
• Halvmånedelar
• Täckplåtar
• Grafitaggregat
• Anpassade termiska fältkomponenter
Tekniska specifikationer
Substratmaterial
Isostatisk grafit med hög renhet
Beläggningsmaterial
CVD Tantalkarbid (TaC)
Beläggningstjocklek
20–40 μm (anpassningsbar)
Beläggningsrenhet
Upp till 99,9995 %
Maximal arbetstemperatur
>2000°C (inert atmosfär)
Densitet
14,3 g/cm³
Hårdhet
~2000 HK
Termisk expansionskoefficient
6,3 x 10⁻⁶/K
Elektrisk resistivitet
1 x 10⁻⁵ Ω·cm
Tillgängliga storlekar
Anpassad
Typiska applikationer
SiC, GaN, AlN epitaxi
Vanliga frågor
1. Vad är en CVD TaC-belagd susceptor?
En högren grafitkomponent skyddad av en tät CVD TaC-beläggning som används som waferbärare under epitaxiell tillväxt.
2. Varför använda TaC coating istället för SiC-beläggning?
TaC erbjuder högre temperaturbeständighet, överlägsen kemisk stabilitet och längre livslängd.
3.Vilka halvledarprocesser använder TaC-coated susceptorer?
SiC-epitaxi, GaN MOCVD, AlN-epitaxi och andra högtemperaturkristalltillväxtprocesser.
4. Kan VETEK tillverka skräddarsydda susceptorer?
Ja. Vi tillhandahåller skräddarsydda konstruktioner baserat på kundens ritningar och processkrav.
5. Vilka reaktormärken stöds?
Aixtron, LPE, Veeco, AMEC, NuFlare och andra vanliga system.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi använder cookies för att ge dig en bättre webbupplevelse, analysera webbplatstrafik och anpassa innehåll. Genom att använda denna sida godkänner du vår användning av cookies. Sekretesspolicy