Exempel på kartläggning

Baserat på det fysiska provet som tillhandahålls av kunden (även om det är en sliten eller sprucken begagnad del), erbjuder vi en fullspektrumtjänst som sträcker sig från omvänd konstruktion av fysisk struktur till fysikalisk-kemisk karakterisering på materialnivå. Med hjälp av högprecisionsinspektionsutrustning av halvledarkvalitet kvantifierar vi noggrant komplexa 3D-geometriska strukturer, beläggnings-/substratgränssnittsegenskaper och materialfysiska parametrar, vilket säkerställer att den omvända produkten uppfyller eller överträffar OEM-standarder i fysisk passform, processkompatibilitet och livslängd (Form-Fit-Function Replacement).

Vad vi mäter (tekniska leveranser):

• Dimensionella och geometriska toleranser:Genom att använda högprecisionskoordinatmätmaskiner (CMM) och optiska 3D-skannrar utför vi punktmolnmodellering i full storlek och rekonstruktion av komplexa kavitetsstrukturer och monterings-/lokaliseringshål, vilket uppnår noggrannhet på mikronnivå.
• Ytmikromorfologi och planhet:Använder interferometrar för vitt ljus och optiska profilometrar för att utvärdera ytjämnhet i nanometerskala (Ra) och planhet på stora ytor, vilket uppfyller kraven för hantering av skivor och kammartätning.
• Edge Micro-funktioner:Kartläggning med hög förstoring av kant-R-radii och avfasning av mikroprofiler för att optimera beläggningens klättringsmorfologi och undvika stresskoncentration vid skarpa hörn som kan orsaka delaminering vid hög temperatur.
• Grafitsubstrat och termisk matchningsanalys:Bedömning av högrent grafitsubstratdensitet, kornstorlek och termisk expansionskoefficient (CTE) för att säkerställa termisk spänningsmatchning mellan substrat och CVD-beläggning.
• Beläggning Tvärsnitt & gränssnittslimningskvalitet:Icke-förstörande XRF- och metallografisk tvärsnitts-SEM-analys för att mäta absolut tjocklek, radiell enhetlighet hos CVD-beläggningen och gränssnittets penetrationsdjup.
• Fasstruktur och mikrokristallanalys:XRD-utvärdering av kubisk fas (β-SiC) renhet av CVD SiC; kvalitativ bedömning av kemisk stökiometri och kristallstrukturegenskaper hos CVD TaC.

Verkliga fall och kundfördelar (erfarenhet):

En 12-tums halvledaretsningskomponentkund:OEM-leverans upphörde; endast en sliten begagnad del fanns tillgänglig. Genom CMM omvänd modellering + SEM-beläggning tvärsnittsanalys, slutförde vi utveckling av ersättningsdelar och testning på verktyg inom 2 månader utan några originalritningar, vilket uppnådde 100 % installationspassning. I slutändan reducerades komponentanskaffningscykeln från den ursprungliga 6-månaders importledtiden till 2 månader, enhetsanskaffningskostnaden sjönk med 42 %, och denna modell har levererats stabilt för mer än 30 partier.

Silicon Carbide (SiC) beläggning på SEM beläggning tvärsnitt

FAQ

Starta din exklusiva tjänst nu