Porös grafit

SiC-substrattillverkare använder vanligtvis en degeldesign med en porös grafitcylinder för heta fältprocessen. Denna design ökar förångningsarean och laddningsvolymen. En ny process har utvecklats för att ta itu med kristalldefekter, stabilisera massöverföring och förbättra SiC-kristallkvaliteten. Den innehåller en fröfri fixeringsmetod för kristallbrickor för termisk expansion och avspänning. Det begränsade utbudet på marknaden av degelgrafit och porös grafit innebär dock utmaningar för kvaliteten och utbytet av SiC-enkristaller.

Nyckelegenskaper hos VeTek Semiconductor Porous Graphite:

1. Miljötolerans för hög temperatur - Produkten tål en miljö på 2500 grader Celsius, vilket visar utmärkt värmebeständighet.

2. Strikt porositetskontroll - VeTek Semiconductor upprätthåller en strikt porositetskontroll, vilket säkerställer konsekvent prestanda.

3.Ultrahög renhet - Det porösa grafitmaterialet som används uppnår en hög renhetsnivå genom rigorösa reningsprocesser.

4.Utmärkt ytpartikelbindningsförmåga - VeTek Semiconductor har utmärkt ytpartikelbindningsförmåga och motståndskraft mot pulvervidhäftning.

5. Gastransport, diffusion och enhetlighet - Den porösa strukturen hos grafit underlättar effektiv gastransport och diffusion, vilket resulterar i förbättrad enhetlighet för gaser och partiklar.

6.Kvalitetskontroll och stabilitet - VeTek Semiconductor betonar hög renhet, låg föroreningshalt och kemisk stabilitet för att säkerställa kvalitet i kristalltillväxt.

7. Temperaturkontroll och enhetlighet - Den termiska ledningsförmågan hos porös grafit möjliggör enhetlig temperaturfördelning, vilket minskar stress och defekter under tillväxten.

8. Förbättrad diffusion och tillväxthastighet för lösta ämnen - Den porösa strukturen främjar jämn fördelning av lösta ämnen, vilket ökar tillväxthastigheten och enhetligheten hos kristaller.