Porös grafit

SIC -substratproducenter använder vanligtvis en degel design med en porös grafitcylinder för den heta fältprocessen. Denna design ökar förångningsområdet och laddningsvolymen. En ny process har utvecklats för att hantera kristalldefekter, stabilisera massöverföring och förbättra SIC -kristallkvaliteten. Den innehåller en fröfri kristallfältfixeringsmetod för värmeutvidgning och stressavlastning. Emellertid utgör begränsad marknadsförsörjning av degelgrafit och porös grafit utmaningar för kvaliteten och utbytet av SIC -enstaka kristaller.

Viktiga funktioner i Vetek Semiconductor Porous Graphite:

1. Hög temperaturmiljö tolerans - Produkten tål miljön på 2500 grader Celsius, vilket visar utmärkt värmebeständighet.

2.Strict Porosity Control - Vetek Semiconductor upprätthåller tät porositetskontroll, vilket säkerställer konsekvent prestanda.

3.LUTRA -hög renhet - Det porösa grafitmaterialet som används uppnår en hög renhetsnivå genom rigorösa reningsprocesser.

4. Excellent ytpartikelbindande kapacitet - Vetek halvledare har utmärkt ytpartikelbindande kapacitet och resistens mot pulver vidhäftning.

5. GAS -transport, diffusion och enhetlighet - Den porösa strukturen för grafit underlättar effektiv gastransport och diffusion, vilket resulterar i förbättrad enhetlighet av gaser och partiklar.

6. Kvalitetskontroll och stabilitet - Vetek halvledare betonar hög renhet, låg föroreningsinnehåll och kemisk stabilitet för att säkerställa kvalitet i kristalltillväxt.

7. Temperaturkontroll och enhetlighet - Termisk konduktivitet för porös grafit möjliggör enhetlig temperaturfördelning, vilket minskar stress och defekter under tillväxten.

8. Förbättrad lösta diffusion och tillväxthastighet - Den porösa strukturen främjar till och med lösta distribution, vilket förbättrar tillväxttakten och enhetligheten hos kristaller.