Den CVD TaC-belagda grafitringen från Veteksemicon är konstruerad för att möta de extrema kraven för bearbetning av halvledarwafer. Med användning av Chemical Vapor Deposition (CVD) teknologi appliceras en tät och enhetlig tantalkarbid (TaC) beläggning på grafitsubstrat med hög renhet, vilket uppnår exceptionell hårdhet, slitstyrka och kemisk tröghet. I halvledartillverkning används den CVD TaC-belagda grafitringen i stor utsträckning i MOCVD-, etsnings-, diffusions- och epitaxiella tillväxtkammare, och fungerar som en viktig strukturell eller tätande komponent för waferbärare, susceptorer och skärmningsenheter. Ser fram emot din fortsatta konsultation.
Ansökan: Veteksemicon CVD TaC Coated Ring är speciellt utvecklad förSiC-kristalltillväxtprocesser. Som en viktig lastbärande komponent i högtemperaturreaktionskammaren isolerar dess unika TaC-beläggning effektivt kiselångkorrosion, förhindrar föroreningar och säkerställer strukturell stabilitet i långvariga högtemperaturmiljöer, vilket ger en pålitlig garanti för att erhålla högkvalitativa kristaller.
Tjänster som kan tillhandahållas: analys av kundapplikationsscenario, matchande material, teknisk problemlösning.
Företagsprofile:Veteksemicon har 2 laboratorier, ett team av experter med 20 års materialerfarenhet, med FoU och produktion, testning och verifieringskapacitet.
Min rival CVD TaC Coated Ring är en förbrukningsvara som är designad för kemisk ångavsättning vid hög temperatur och kristalltillväxt av avancerade halvledarmaterial, särskilt kiselkarbid. Vi använder en unik, optimerad kemisk ångavsättningsteknik för att avsätta en tät, enhetligtantalkarbidbeläggningpå ett grafitsubstrat med hög renhet. Med exceptionellt hög temperaturbeständighet, utmärkt korrosionsbeständighet och en extremt lång livslängd skyddar denna produkt effektivt kristallkvaliteten och minskar dina totala produktionskostnader avsevärt, vilket gör den till ett viktigt val för processer som kräver processstabilitet och högsta utbyte.
Tekniska parametrar:
projekt
parameter
Basmaterial
Isostatiskt pressad grafit med hög renhet (renhet ≥ 99,99 %)
Beläggningsmaterial
Tantalkarbid
Beläggningsteknik
Kemisk ångavsättning vid hög temperatur
Beläggningstjocklek
Standard 30-100μm (kan anpassas enligt processkrav)
Beläggning purity
≥ 99,995 %
Maximal drifttemperatur
2200°C (inert atmosfär eller vakuum)
Huvudapplikationer
SiC PVT/LPE-kristalltillväxt, MOCVD, andra högtemperatur-CVD-processer
Min rival CVD TaC Coated Ring kärnfördelar
Oöverträffad renhet och stabilitet
I den extrema miljön av SiC-kristalltillväxt, där temperaturen överstiger 2000°C, kan även spårföroreningar förstöra hela kristallens elektriska egenskaper. VårCVD TaC-beläggning, med sin exceptionella renhet, eliminerar i grunden kontaminering från ringen. Dessutom säkerställer dess utmärkta högtemperaturstabilitet att beläggningen inte sönderdelas, förångas eller reagerar med processgaser under långvarig högtemperatur- och termisk cykling, vilket ger en ren och stabil ångfasmiljö för kristalltillväxt.
Utmärkt korrosion ocherosionsbeständighet
Korrosion av grafit genom kiselånga är den primära orsaken till fel och partikelkontamination i traditionella grafitringar. Vår TaC-beläggning, med sin extremt låga kemiska reaktivitet med kisel, blockerar effektivt kiselånga och skyddar det underliggande grafitsubstratet från erosion. Detta förlänger inte bara ringens livslängd avsevärt utan, ännu viktigare, minskar det partikelmaterial som genereras av substratets korrosion och spjälkning avsevärt, vilket direkt förbättrar kristalltillväxtutbytet och inre kvalitet.
Utmärkt mekanisk prestanda och livslängd
TaC-beläggningen som bildas av CVD-processen har extremt hög densitet och Vickers hårdhet, vilket gör den extremt motståndskraftig mot slitage och fysisk påverkan. I praktiska tillämpningar kan våra produkter förlänga livslängden med 3 till 8 gånger jämfört med traditionella grafitringar eller pyrolytiska kol/kiselkarbidbelagda ringar. Detta innebär mindre stilleståndstid för utbyte och högre utrustningsutnyttjande, vilket avsevärt minskar den totala kostnaden för enkristallproduktion.
Utmärkt beläggningskvalitet
En beläggnings prestanda är starkt beroende av dess enhetlighet och bindningsstyrka. Vår optimerade CVD-process gör det möjligt för oss att uppnå mycket enhetlig beläggningstjocklek på även de mest komplexa ringgeometrierna. Ännu viktigare är att beläggningen bildar en stark metallurgisk bindning med grafitsubstratet med hög renhet, vilket effektivt förhindrar avskalning, sprickbildning eller flagning orsakad av skillnader i värmeutvidgningskoefficienter under snabba uppvärmnings- och kylcykler, vilket säkerställer fortsatt tillförlitlig prestanda under produktens livscykel.
Godkännande för verifiering av ekologisk kedja
Min rival CVD TaC Coated Rings ekologiska kedjeverifiering omfattar råvaror till produktion, har godkänt internationell standardcertifiering och har ett antal patenterade teknologier för att säkerställa dess tillförlitlighet och hållbarhet inom halvledar- och nya energiområden.
Huvudapplikationsområden
Applikationsriktning
Typiskt scenario
SiC-kristalltillväxt
Kärnstödringar för 4H-SiC och 6H-SiC enkristaller odlade med metoderna PVT (fysisk ångtransport) och LPE (vätskefas epitaxi).
GaN på SiC epitaxi
En bärare eller en enhet i en MOCVD-reaktor.
Andra högtemperaturhalvledarprocesser
Den är lämplig för alla avancerade halvledartillverkningsprocesser som kräver skydd av grafitsubstratet i höga temperaturer och mycket korrosiva miljöer.
För detaljerade tekniska specifikationer, vitböcker eller provarrangemang, vänligenkontakta vårt tekniska supportteamför att utforska hur Veteksemicon kan förbättra din processeffektivitet.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi använder cookies för att ge dig en bättre webbupplevelse, analysera webbplatstrafik och anpassa innehåll. Genom att använda denna sida godkänner du vår användning av cookies. Sekretesspolicy