TaC-belagd grafitrån täckring

Kärntekniska fördelar

• Exceptionell kemisk beständighet: Konstruerad för att tåla hårda etsgaser (H₂, NH₃, HCl) vid temperaturer mellan 1200°C och 2000°C.

• Termisk expansionsmatchning: Vår egenutvecklade CVD-process säkerställer att TaC-beläggningen har en optimerad CTE (Coefficient of Thermal Expansion)-matchning med grafitsubstratet, vilket förhindrar flagning eller sprickbildning under snabb termisk cykling.

• Överlägsen partikelkontroll: Genom att helt försegla den porösa grafiten eliminerar TaC-skiktet partikelavfall, vilket direkt ökar ditt waferutbyte och minskar reaktorns stilleståndstid.

• Förlängd livslängd: Mycket slitstark yta som tål upprepade rengöringscykler, vilket ger en betydligt lägre ägandekostnad (CoO) jämfört med obestrukna eller SiC-belagda alternativ.

Tantalkarbid (TaC) beläggning på ett mikroskopiskt tvärsnitt

Produktparameter för TaC Coated Graphite Wafer Cover Ring

Varför välja våra TaC-täckringar?

Vi förstår att i halvledartillverkning är tillförlitlighet lika med lönsamhet. Våra TaC Coated Graphite Wafer Cover Rings är batch-testade för beläggningstäthet och renhet. Oavsett om du går över från 6-tums till 8-tums waferproduktion eller optimerar en MOCVD-process vid hög temperatur, ger våra ringar den termiska och kemiska avskärmning som krävs för epitaxi i världsklass.