Som en ledande kinesisk tillverkare och leverantör av kiselkarbidbeläggningsprodukter spelar Veteksemicons SIC -belagda skivbärare för etsning en ofördelbar kärnroll i etsningsprocessen med dess utmärkta stabilitet med hög temperatur, enastående korrosionsbeständighet och hög värmeledningsförmåga.
Kärnansökan av SIC -belagd skivbärare för etsningsprocess
1. GAN FILM TILLVERKNING OCH ETSNING I LED -tillverkning
SIC -belagda bärare (såsom PSS -etsningsbärare) används för att stödja safirsubstrat (mönstrade safirsubstrat, PSS) i LED -produktion och utför kemisk ångavsättning (MOCVD) av galliumnitrid (GAN) -filmer vid höga temperaturer. Bäraren avlägsnas sedan genom en våt etsningsprocess för att bilda en ytmikrostruktur för att förbättra ljusekstraktionseffektiviteten.
Nyckelroll: Skivbäraren måste motstå temperaturer upp till 1600 ° C och kemisk korrosion i plasma -etsningsmiljön. Den höga renheten (99.99995%) och densitet för SIC -beläggningen förhindrar metallföroreningar och säkerställer GAN -filmens enhetlighet.
2. Halvledarplasma/torr etsningsprocess
IICP (induktiv kopplad plasma) etsning, SIC -belagda bärare uppnår enhetlig värmefördelning genom optimerad luftflödesdesign (såsom laminärt flödesläge), undvika föroreningsdiffusion och förbättra etsningsnoggrannheten. Till exempel kan Veteksemicons SIC-belagda ICP-etsningsbärare tåla en sublimeringstemperatur på 2700 ° C och är lämplig för högenergi plasmamiljöer.
3. Tillverkning av solcell och kraftanordning
SIC-bärare presterar bra i högtemperaturdiffusion och etsning av kiselskivor i det fotovoltaiska fältet. Deras låga termiska expansionskoefficient (4,5 × 10⁻⁶/k) minskar deformationen orsakad av termisk stress och förlänger livslängden.
Fysiska egenskaper och fördelar med SIC -belagd skivbärare för etsning
1. Tolerans mot extrema miljöer:
Hög temperaturstabilitet:CVD SIC -beläggningkan arbeta i 1600 ° C luft eller 2200 ° C vakuummiljö under lång tid, vilket är mycket högre än traditionella kvarts- eller grafitbärare.
Korrosionsbeständighet: Sic har utmärkt resistens mot syror, alkalier, salter och organiska lösningsmedel och är lämplig för halvledarproduktionslinjer med ofta kemisk rengöring.
2. Termiska och mekaniska egenskaper:
Hög värmeledningsförmåga (300 W/MK): Snabb värmeavledning minskar termiska gradienter, säkerställer skivtemperaturens enhetlighet och undviker avvikelse av filmtjocklek.
Hög mekanisk styrka: Böjningsstyrka når 415 MPa (rumstemperatur), och den upprätthåller fortfarande mer än 90% styrka vid hög temperatur, och undviker bärande sprickor eller delaminering.
Ytfinish: SSIC (tryck sintrat kiselkarbid) har låg ytråhet (<0,1 um), vilket minskar partikelföroreningen och förbättrar skivutbytet.
3. Materialmatchande optimering:
Låg värmeutvidgningsskillnad mellan grafitunderlag och SIC -beläggning: Genom att justera beläggningsprocessen (såsom gradientavsättning) reduceras gränssnittsspänningen och beläggningen förhindras från skalning.
Hög renhet och låga defekter: CVD -processen säkerställer beläggningsrenheten> 99.9999%, vilket undviker metalljonföroreningar av känsliga processer (såsom SIC -kraftanordningstillverkning).
Sedanc Fysiska egenskaper hos CVD SIC -beläggning
Grundläggande fysiska egenskaper hos CVD SIC -beläggning
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Vi använder cookies för att ge dig en bättre webbupplevelse, analysera webbplatstrafik och anpassa innehåll. Genom att använda denna sida godkänner du vår användning av cookies. Sekretesspolicy