MOCVD-teknik

VeTek Semiconductor har fördelar och erfarenhet av MOCVD Technology reservdelar.

MOCVD, det fullständiga namnet på Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metallorganisk kemisk ångdeposition), kan också kallas metallorganisk ångfasepitaxi. Organometalliska föreningar är en klass av föreningar med metall-kol-bindningar. Dessa föreningar innehåller minst en kemisk bindning mellan en metall och en kolatom. Metallorganiska föreningar används ofta som prekursorer och kan bilda tunna filmer eller nanostrukturer på substratet genom olika deponeringstekniker.

Metallorganisk kemisk ångavsättning (MOCVD-teknik) är en vanlig epitaxiell tillväxtteknologi, MOCVD-teknik används i stor utsträckning vid tillverkning av halvledarlasrar och lysdioder. Speciellt vid tillverkning av lysdioder är MOCVD en nyckelteknologi för produktion av galliumnitrid (GaN) och relaterade material.

Det finns två huvudformer av epitaxi: Liquid Phase Epitaxi (LPE) och Vapor Phase Epitaxi (VPE). Gasfasepitaxi kan vidare delas in i metall-organisk kemisk ångdeposition (MOCVD) och molekylär strålepitaxi (MBE).

Utländska utrustningstillverkare är främst representerade av Aixtron och Veeco. MOCVD-systemet är en av nyckelutrustningarna för tillverkning av lasrar, lysdioder, fotoelektriska komponenter, kraft, RF-enheter och solceller.

Huvuddragen hos MOCVD-teknologins reservdelar tillverkade av vårt företag:

1) Hög densitet och full inkapsling: grafitbasen som helhet befinner sig i en hög temperatur och korrosiv arbetsmiljö, ytan måste vara helt omslagen och beläggningen måste ha god förtätning för att spela en bra skyddande roll.

2) Bra ytplanhet: Eftersom grafitbasen som används för enkristalltillväxt kräver en mycket hög ytplanhet, bör basens ursprungliga planhet bibehållas efter att beläggningen preparerats, det vill säga beläggningsskiktet måste vara enhetligt.

3) Bra bindningsstyrka: Minska skillnaden i termisk expansionskoefficient mellan grafitbasen och beläggningsmaterialet, vilket effektivt kan förbättra bindningsstyrkan mellan de två, och beläggningen är inte lätt att spricka efter att ha upplevt hög och låg temperaturvärme cykel.

4) Hög värmeledningsförmåga: högkvalitativ spåntillväxt kräver att grafitbasen ger snabb och jämn värme, så beläggningsmaterialet bör ha en hög värmeledningsförmåga.

5) Hög smältpunkt, hög temperatur oxidationsbeständighet, korrosionsbeständighet: beläggningen ska kunna fungera stabilt i hög temperatur och korrosiv arbetsmiljö.

Placera 4 tums substrat
Blågrön epitaxi för odling av LED
Inrymt i reaktionskammaren
Direktkontakt med wafern Placera 4 tums substrat
Används för att odla UV LED epitaxial film
Inrymt i reaktionskammaren
Direktkontakt med wafern Veeco K868/Veeco K700 Maskin
Vit LED-epitaxi/Blågrön LED-epitaxi Används i VEECO-utrustning
För MOCVD-epitaxi
SiC Coating Susceptor Aixtron TS-utrustning
Djup ultraviolett epitaxi
2-tums substrat Veeco utrustning
Röd-Gul LED Epitaxi
4-tums wafersubstrat TaC-belagd susceptor
(SiC Epi/UV LED-mottagare) SiC-belagd susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD-susceptor)