MOCVD-teknik

Den kiselbaserade GaN-epitaxial Susceptor är den kärnkomponent som krävs för GaN-epitaxialproduktion. Vetekemicon Silicon-baserade GaN-epitaxial susceptor är speciellt utformad för kiselbaserad GaN-epitaxial reaktorsystem, med fördelar som hög renhet, utmärkt hög temperaturbeständighet och korrosionsbeständighet. Välkommen din ytterligare konsultation.