SiC-belagd stödring

Det halvledare, en ledande tillverkare och leverantör baserad i Kina, specialiserat på att producera en rad produkter inklusiveSiC-belagda stödringar, CVD-kiselkarbidbeläggningar, tantalkarbidbeläggningar, bulk SiC, SiC-pulver och högrent SiC-material. Vårt engagemang ligger i att erbjuda omfattande teknisk assistans och optimala produktupplösningar skräddarsydda för halvledarsektorn. Välkommen att kontakta oss för mer information och hjälp.

Det halvledaresSiC-belagda stödringarär en ny generation av högtemperaturbeständiga material. Som korrosionsbeständiga beläggningar, oxidationsbeständiga beläggningar och slitstarka beläggningar kan de användas i miljöer över 1650 ℃ och används ofta inom halvledarfält.

De högkvalitativa egenskaperna hosSiC-belagda stödringarspelar en mycket viktig roll i den epitaxiella tillväxten av tredje generationens halvledarkomponenter.

Upprätthålla enhetlig temperatur: SIC -belagda stödringar har utmärkt värmeledningsförmåga och kan ge enhetlig temperaturfördelning under epitaxiell tillväxt. Detta hjälper till att minska termiska gradienter och spänningar på skivytan och därigenom förbättra kvaliteten på det epitaxiella skiktet.

Extrem kemisk stabilitet: Under den epitaxiella tillväxtprocessen,SiC-belagda stödringarkan motstå kemiska angrepp från reaktionsgaserna, förlänga livslängden på stödringarna och bibehålla processens integritet. Denna kemiska stabilitet hjälper till att minska risken för kontaminering och förbättrar renheten och prestandan hos halvledarenheter.

Exakt positionering: SiC-belagda stödringar kan bibehålla den exakta placeringen av skivan, vilket är avgörande för att uppnå enhetlig skiktavsättning. Denna exakta positionering hjälper till att säkerställa konsistensen av tjockleken och kvaliteten på det epitaxiella lagret.

Grundläggande fysiska egenskaper hos CVD SIC -beläggning:

Återförsäljare:

Översikt över halvledarchipets epitaxiindustrikedja: