CVD SiC Coated Graphite Susceptor för Wafer Carrier

1. Produktfördelar

• Material med hög renhet:Grafitmaterialet av halvledarkvalitet och den täta SiC-beläggningsstrukturen minimerar föroreningsrisker och förbättrar tillförlitligheten hos den CVD SiC-belagda grafitsusceptorn.
• Utmärkt termisk enhetlighet:Optimerad grafitstruktur och SiC-beläggning ger stabil värmeöverföring och enhetlig skivtemperaturkontroll.
• Överlägsen kemisk resistens:Den täta SiC-beläggningen ger stark motståndskraft mot processgaser och korrosiva miljöer.
• Lång livslängd:Hög hårdhet och slitstyrka förbättrar hållbarheten under epitaxiförhållanden med hög temperatur.
• Låg partikelgenerering:Den täta CVD SiC-ytan minskar partikelfrisättning och förbättrar waferprocessens tillförlitlighet.
• Anpassad designkapacitet:Finns i olika storlekar, strukturer och konfigurationer enligt utrustningskrav.

2. Tekniska specifikationer

3. Ansökningar

• SiC epitaxiprocess:Grafitsusceptorn används som en waferbärare i SiC-epitaxutrustning, som stödjer SiC-substrat under epitaxiell tillväxt vid hög temperatur.
• Kiselepitaxiprocess:Appliceras i epitaxiella kiselreaktorer för att stödja wafers och bibehålla stabila termiska förhållanden.
• MOCVD epitaxi:VETEK grafitsusceptorer är lämpliga för MOCVD, LED-epitaxi, GaN-epitaxi, kiselepitaxi och andra halvledartillverkningsprocesser som kräver utmärkt termisk enhetlighet och kemisk stabilitet.
• Utrustning för tillverkning av halvledare:Kompatibel med olika epitaxiplattformar, inklusive horisontella LPE-ugnar, Aixtron, NuFlare och relaterad halvledarutrustning.

4. Varför välja VETEK?

VETEK tillhandahåller skräddarsydda CVD SiC-belagda grafitsusceptorlösningar som integrerar grafitrening, precisionsbearbetning, CVD-beläggning och inspektionsmöjligheter. Våra grafitsusceptorprodukter av halvledarkvalitet har hög renhet, enhetlig beläggningstjocklek, utmärkt termisk prestanda och lång livslängd för krävande wafer-bärare.