Sickantring

Inom området halvledartillverkning revolutionerar Sic Edge -ringar, som kärnkomponenter i skivbehandlingsutrustning, industrilandskapet med sina materiella egenskaper. Värdet på denna precisionskomponent gjord av kiselkarbid-enstaka kristaller ligger inte bara i dess högteknologiska innehåll, utan också i den betydande förbättringen av avkastningen och optimeringen av driftskostnader som det kan ge till chiptillverkare.

Sic kant ringstrukturella egenskaper

Kiselkarbidkantringar är viktiga förbrukningsbara komponenter i halvledarens etsningsutrustning och är tillverkade av högren kiselkarbidmaterial framställda med kemisk ångavsättning (CVD). Diametern för dess ringformade struktur är vanligtvis 200-450 mm, och tjockleken styrs inom 5-15 mm, med följande egenskaper:

1. Extreme tolerans: kan motstå en hög temperaturmiljö på 1500 ℃

2. Plasmastabilitet: Dielektrisk konstant 9,7, nedbrytningsspänning 3mV/cm

3. Geometrisk noggrannhet: Rundhetsfel ≤0,05 mm, ytråhet RA <0,2 um

Genombrott i tillverkningsprocessen

Den moderna beredningsprocessen antar en trestegsmetod:

1. Matrisformning: Isostatisk pressformning säkerställer enhetlig densitet

2. Sintring av hög temperatur: Densifieringsbehandling i en inert atmosfär vid 2100 ℃

3. Ytmodifiering: Nanoskala skyddande lager bildas genom reaktiv jonetsning (RIE). Den senaste forskningen visar att livslängden för kiselkarbidkantringar dopade med 3% bor ökas med 40%, och skivföroreningshastigheten reduceras till 0,01 ppm -nivån

Applikationsscenarier

Det visar orepobilitet i processer under 5nm:

2. Etsningens enhetlighet: Den kan upprätthålla en etsningshastighetsavvikelse på ± 1,5% vid skivförbindelsen

3. Föroreningskontroll: Det minskar metallföroreningar med 92% jämfört med traditionella kvartsmaterial

4. Underhållscykel: Den kan fungera kontinuerligt i 1500 timmar i CF4/O2 -plasma

Vetekemicon har uppnått ett genombrott i den inhemska produktionen av Sic Edge -ringar, vilket kan spara många kostnadsutgifter. Välkommen att kontakta oss när som helst!