Grafitskiva

Vetek Semiconductors Graphite Disc Susceptor, en högpresterande produkt för avancerade halvledartillverkningsprocesser. Vår grafitdisksusceptor är designad för att möta branschens krävande krav och ge exceptionell prestanda och tillförlitlighet. Denna grafitskivmosceptor är OEM för AIX G5 Planetary Reactor -plattform.

GaN-on-Si MOCVD används för LED-epitaxial produktion, och Aixtron G5-reaktorn förbättrar utbytet och enhetligheten hos MOCVD-plattformen. Ett helt roterat symmetriskt enhetligt mönster på fem 200 mm wafers, med användning av ett kiselsubstrat med standardtjocklek och styrande waferböjningsbeteende formaliserade vad de behövde för kiseltillverkning.

Vetek Semiconductors High-Purity Graphite Disc Susceptor för GaN-on-Si MOCVD, en pålitlig och kostnadseffektiv lösning för avancerade halvledartillverkningsprocesser.

Vår högrenhetsgrafitskivsusceptor är speciellt utformad för att uppfylla kraven för GaN-on-Si MOCVD-processer. Med sin exceptionella termiska stabilitet och värmebeständighet kan den motstå de krävande temperaturförhållandena som vanligtvis sträcker sig från 800°C till 1100°C, vilket säkerställer optimal prestanda under deponeringsprocessen.

Det grafitmaterialet med hög renhet som används i vår skivmusceptor ger utmärkt kemisk resistens, vilket gör det kompatibelt med ammoniak (NH3) och organiska metallprekursorer som vanligtvis används i GaN-on-Si MOCVD. Detta eliminerar behovet av ytterligareSiC-beläggningarsänker produktionskostnaderna utan att kompromissa med prestanda.

Vetek Semiconductors High-Purity Graphite Disc Susceptor erbjuder en kostnadseffektiv lösning utan att kompromissa med kvaliteten. Dess tillförlitlighet, hållbarhet och kompatibilitet med GaN-on-Si MOCVD-processer gör det till det föredragna valet för halvledartillverkare. Lita på Vetek Semiconductor för att leverera högpresterande grafitskivor Susceptors för dina GaN-on-Si MOCVD-tillverkningsbehov.