Tantalkarbidbelagd ring

Vetek Semiconductor Tantalum Carbide Coated Ring är utformad frångrafitoch belagd med tantalkarbid, en kombination som utnyttjar de bästa egenskaperna hos båda materialen för att säkerställa överlägsen prestanda och livslängd. 

TAC -beläggningen på tantalens karbidbeläggningsring säkerställer att den förblir kemiskt inert i de reaktiva atmosfärerna i Sic -kristalltillväxtugnar, som ofta involverar gaser som väte, argon och kväve. Denna kemiska inerthet är avgörande för att förhindra eventuell förorening av den växande kristallen, vilket kan leda till defekter och minskade prestanda för de slutliga halvledarprodukterna. Dessutom tillåter den termiska stabiliteten som tillhandahålls av TAC -beläggningen tantalens karbidbeläggningsring att fungera effektivt vid de höga temperaturerna som krävs för Sic -kristalltillväxt, vilket vanligtvis överstiger 2000 ° C.

Tät och enhetlig TAC -beläggning kan framställas på grafitytan genom plasmasprutning, CVD -metod och uppslamningsmätning, men plasmasprutningsmetoden har höga utrustningskrav och TA2C -bildning. Det är svårt att förbereda kompositbeläggning med uppslamningssintringsmetod, och beläggningsmotståndet för beläggningen är dålig. Beläggningen framställd med CVD -metoden har kontrollerbar sammansättning och högsta densitet, vilket är en vanlig tantal karbidbeläggningsmetod för närvarande.

De mekaniska egenskaperna hos TAC minskar kraftigt slitage på tantalens karbidbeläggningsring. Detta är avgörande på grund av kristalltillväxtprocessens repetitiva karaktär, som utsätter styrringen för ofta termiska cykler och mekaniska spänningar. TAC: s hårdhet och slitmotstånd säkerställer att TAC -belagda ringen upprätthåller sin strukturella integritet och exakta dimensioner under långa perioder, vilket minimerar behovet av ofta ersättningar och minskar driftstopp i tillverkningsprocessen. 

Bulkdensiteten för tantalkarbidbeläggningen är 14,3 gm/cm3, emissivitet 0,3, hårdhet är 2000HK, smältpunkten är 3950S ℃ och goda fysiska egenskaper har valts ut som ett vanligt material för den tredje generationen av halvledare.

Dessutom optimerar kombinationen av grafit och TAC i tantalens karbidbeläggningsring termisk hantering inom kristalltillväxtugnen. Graphites höga värmeledningsförmåga fördelar effektivt värmen, förhindrar hotspots och främjar enhetlig kristalltillväxt. Samtidigt fungerar TAC -beläggningen som en termisk barriär och skyddar grafitkärnan från direkt exponering för höga temperaturer och reaktiva gaser. Denna synergi mellan kärn- och beläggningsmaterialet resulterar i en styrring som inte bara tål de hårda förhållandenaSic Crystal Growthmen förbättrar också den totala effektiviteten och kvaliteten på processen.

Vetek Semiconductor Tantalum Carbide Coated Ring är en viktig komponent i halvledarindustrin, speciellt utformad för tillväxt avKiselkarbidkristaller. Dess design utnyttjar styrkorna hos grafit- och tantalkarbid för att leverera exceptionella prestanda i högtemperatur, högspänningsmiljöer. TAC-beläggningen säkerställer kemisk inerthet, mekanisk hållbarhet och termisk stabilitet, som alla är kritiska för att producera SiC-kristaller av hög kvalitet. Genom att bibehålla sin integritet och funktionalitet under extrema förhållanden stöder ringen den effektiva och defektfria tillväxten av SIC-kristaller, vilket bidrar till att främja högeffekt och högfrekvent halvledarenheter.

Vetek Semiconductor är en ledande tillverkare och leverantör avTantalkarbidbeläggning, KiselkarbidbeläggningochSpecialgrafiti Kina. Vi har länge varit engagerade i att tillhandahålla avancerad teknik och produktlösningar för halvledarindustrin och hoppas verkligen vara din långsiktiga partner i Kina.

Tantal Carbide (TAC) beläggningpå ett mikroskopiskt tvärsnitt：

Översikt överHalvledare Chip Epitaxy Industry Chain：