SiC Tätningsdel

SiC Sealing Part spelar en nyckelroll vid halvledarbearbetning. Dess utmärkta materialegenskaper och pålitliga tätningseffekt förbättrar inte bara produktionseffektiviteten, utan säkerställer också produktkvalitet och säkerhet.

Huvudfördelarna med kiselkarbidtätningsdel:

Utmärkt korrosionsbeständighet: Bland avancerade keramiska material kan VeTeksemi SiC Sealing Part ha den bästa korrosionsbeständigheten i sura och alkaliska miljöer. Denna oöverträffade korrosionsbeständighet säkerställer att SiC Sealing Part kan fungera effektivt i kemiskt korrosiva miljöer, vilket gör det till ett oumbärligt material i industrier som ofta utsätts för frätande ämnen.

Lätt och stark: Kiselkarbid har en densitet på cirka 3,2 g/cm³, och trots att det är ett lätt keramiskt material är styrkan hos kiselkarbid jämförbar med den hos diamant. Denna kombination av lätthet och styrka förbättrar prestandan hos mekaniska komponenter och ökar därigenom effektiviteten och minskar slitaget i krävande industriella applikationer. SiC Sealing Parts lätta karaktär underlättar också enklare hantering och installation av komponenterna.

Extremt hög hårdhet och hög värmeledningsförmåga: Kiselkarbid har en Mohs hårdhet på 9~10, jämförbar med diamant. Denna egenskap, i kombination med hög värmeledningsförmåga (cirka 120-200 W/m·K vid rumstemperatur), gör att SiC-tätningar kan fungera under förhållanden som skulle skada sämre material. SiC:s utmärkta mekaniska egenskaper bibehålls vid temperaturer upp till 1600°C, vilket säkerställer att SiC-tätningar förblir robusta och pålitliga även i högtemperaturapplikationer.

Hög hårdhet och slitstyrka: Kiselkarbid kännetecknas av starka kovalenta bindningar inom sitt kristallgitter, vilket ger den hög hårdhet och en avsevärd elasticitetsmodul. Dessa egenskaper översätts till utmärkt slitstyrka, vilket minskar sannolikheten för böjning eller deformation även efter långvarig användning. Detta gör SiC till ett utmärkt val för SiC-tätningsdelar som utsätts för kontinuerliga mekaniska påfrestningar och nötande förhållanden.

Skyddande kiseldioxidskiktsbildning: När den utsätts för temperaturer på cirka 1300°C i en syrerik miljö, bildar kiselkarbid en skyddande kiseldioxid (SiO)₂) lager på dess yta. Detta lager fungerar som en barriär och förhindrar ytterligare oxidation och kemiska interaktioner. Som SiO₂skiktet tjocknar, skyddar det ytterligare den underliggande SiC från andra reaktioner. Denna självbegränsande oxidationsprocess ger SiC utmärkt kemisk beständighet och stabilitet, vilket gör SiC-tätningar lämpliga för användning i reaktiva och högtemperaturmiljöer.

Mångsidighet i högpresterande applikationer:Silicon Carbides unika egenskaper gör den mångsidig och effektiv i en mängd olika högpresterande applikationer. Från mekaniska tätningar och lager till värmeväxlare och turbinkomponenter, SiC Sealing Parts förmåga att motstå extrema förhållanden och bibehålla sin integritet gör den till det valda materialet i avancerade tekniska lösningar.

VeTek Semiconductor har åtagit sig att tillhandahålla avancerad teknologi och produktlösningar för halvledarindustrin. Dessutom inkluderar våra SiC-produkter ocksåSilikonkarbidbeläggning, KiselkarbidkeramikochSiC epitaxiprocessprodukter. Välkommen med din fortsatta konsultation.

SEM DATA FÖR CVD SIC FILM KRISTALSTRUKTUR：