Produkter

Vetek Semiconductors CVD Sic -belagda tak har utmärkta egenskaper såsom hög temperaturmotstånd, korrosionsbeständighet, hög hårdhet och låg värmeutvidgningskoefficient, vilket gör det till ett idealiskt materialval i halvledartillverkning. Som en Kina som leder CVD SIC -belagda taktillverkare och leverantör ser Vetek Semiconductor fram emot ditt samråd.

Vetek Semiconductor är en professionell tillverkare av MOCVD LED EPI Susceptor i Kina. Vår MOCVD LED EPI Susceptor är utformad för att kräva applikationer för epitaxial utrustning. Dess höga värmeledningsförmåga, kemisk stabilitet och hållbarhet är nyckelfaktorer för att säkerställa en stabil epitaxial tillväxtprocess och halvledarfilmproduktion.

SIC -beläggningen ALD -susceptor är en stödkomponent som specifikt används i Atomic Layer Deposition (ALD). Det spelar en nyckelroll i ALD -utrustningen, vilket säkerställer enhetligheten och precisionen i deponeringsprocessen. Vi tror att våra ALD-planetariska Susceptor-produkter kan ge dig högkvalitativa produktlösningar.

Vetek Semiconductors TAC -beläggningsrör är en nyckelkomponent för en framgångsrik tillväxt av kiselkarbid -enstaka kristaller. Med dess höga temperaturmotstånd, kemisk inerthet och utmärkt prestanda, vilket säkerställer produktion av högkvalitativa kristaller med konsekventa resultat. Lita på våra innovativa lösningar för att förbättra din PVT -metod SIC Crystal Growth Process och uppnå utmärkta resultat. Välkommen för att undersöka USA.

Vetek Semiconductor erbjuder porös SIC -keramisk chuck som används allmänt i skivbearbetningsteknik, överföring och andra länkar, lämpliga för bindning, skrift, patch, polering och andra länkar, laserbearbetning. Vår porösa SIC-keramiska chuck har extremt starkt vakuumadsorption, hög planhet och hög renhet tillgodoser behoven hos de flesta halvledarindustrier. Välkommen för att undersöka USA.

Den CVD SiC-belagda RTP-susceptorn från VeTek Semiconductor betjänar utrustning för snabb termisk bearbetning (RTP) och snabb termisk glödgning (RTA) som används inom halvledartillverkningen. Substratet är bearbetat av isostatisk grafit med hög renhet, över vilken ett tätt CVD-kiselkarbidskikt (SiC) avsätts. Denna konstruktion ger hög värmeledningsförmåga, robust kemisk tröghet och bibehållen dimensionsstabilitet under upprepade högtemperaturcykler.