Porös grafitguidering

Kärnproduktfördelar

1. Garanti för ultrahög renhet och låga defekter

Använder en 3000 ℃ vakuumreningsprocess vid hög temperatur för att djupt avlägsna icke-metalliska föroreningar som syre och kväve, vilket ökar produktens renhet till ≥99,9995 %. Det eliminerar föroreningsinducerade kristalldefekter (t.ex. mikrotubuli, dislokationer) från källan, vilket säkerställer konsistensen och stabiliteten hos de elektriska egenskaperna hos SiC-enkristaller och lägger en solid grund för högkvalitativ kristalltillväxt.

2. Ultrahög temperaturstabilitet och exakt reglering av termiskt fält

Klarar extrema höga temperaturer på 2200 ℃ i en argon- eller vakuummiljö och fungerar kontinuerligt och stabilt i över 1000 timmar utan att mjukna eller deformeras. Produkten har en låg termisk expansionskoefficient, vilket effektivt kan undvika materialsprickor orsakade av termisk stress. Den stöder design av gradientfördelning av porositet (15-30%) och optimerar porstorleken (10-200μm) i kombination med CFD (Computational Fluid Dynamics) simuleringsteknik, kontrollerar temperaturgradientfluktuationen inom ±3 ℃ och förbättrar avsevärt värmefältets enhetlighet och kristalltillväxtkonsistens.

3. Skräddarsydd anpassning och tillfredsställelse i hela scenariot

• Geometrisk formanpassning: Kan noggrant bearbeta komplexa former som ringformade fat och flerskiktssköldstrukturer enligt kundernas ugnsstrukturer för att uppnå perfekt matchning och installation.
• Ytprocessanpassning: Ger personliga ytbehandlingstjänster som ultraprecisionspolering och speciella beläggningar, vilket avsevärt förbättrar produktens korrosionsbeständighet och livslängd.

4. Prestandaverifierad och effektivitetsuppgraderad

• När den används som en termisk kärnfältskomponent i PVT SiC-kristalliseringsprocessen har den verifierats i praktiska scenarier:
• Kristalltillväxthastigheten ökas med 15%-20% jämfört med traditionella grafitprodukter, vilket avsevärt förkortar produktionscykeln.
• Utbytet av 4-tums SiC enkristallskivor överstiger 90 %, vilket effektivt minskar produktionskostnaderna.
• Utrustningsunderhållscykeln förlängs från konventionella 3 månader till 6 månader, vilket minskar frekvensen av avstängningsunderhåll och förbättrar produktionseffektiviteten.
  
  

Applikationsscenarier

• PVT Growth Furnace Assembly: Fungerar som kärnkomponenten för SiC-materialsublimering och kristalltillväxt, vilket ger en stabil och enhetlig termisk fältfördelning för att säkerställa ett smidigt framsteg av kristalliseringsprocessen.
• Termisk fältskyddskomponent: Den unika porösa strukturen kan effektivt buffra termisk spänning, minska utrustningens slitage och förlänga utrustningens totala livslängd.
• Frökristallstödstillbehör: Har hög mekanisk styrka för att stabilt stödja frökristaller, vilket säkerställer precisionen i riktad kristalltillväxt.
• Gasdiffusionslager: Optimerar gasfasöverföringseffektiviteten, främjar enhetlig sublimering och avsättning av råmaterial och förbättrar ytterligare enkristallkvalitet och tillväxthastighet.

Tekniska parametrar

Konkurrensens kärna höjdpunkter

• Extrem hög temperaturprestanda: Bibehåller strukturell stabilitet vid 2200 ℃ utan att mjukna eller deformeras, vilket stödjer kontinuerlig drift i över 1000 timmar för att möta extrema processkrav.
• Skräddarsydd termisk fältlösning: Förlitar sig på CFD-simuleringsteknik för att optimera porgradientdesign, exakt matcha kundernas processbehov och förbättra kristallens enhetlighet och produktutbyte.
• Rapid Response Service: Tillhandahåller testtjänster för matchning av processparameter och levererar prototyplösningar inom 72 timmar, vilket hjälper kunder att påskynda FoU- och produktionsprocesser.