Aluminiumnitrid (AlN) wafers

1. Nyckelfunktioner och fördelar

• Ultrabrett bandgap ≈ 6,2 eV — högst bland vanliga halvledarmaterial

• Hög värmeledningsförmåga ≈ 320 W/m·K för effektiv värmeavledning

• Utmärkt elektrisk isolering (>10¹³ Ω·cm) och högt genombrottsfält (12–15 MV/cm)

• Bra gitter- och termisk expansionsmatchning med GaN — perfekt för GaN-på-AlN-heterostrukturer

• Alternativ för låg dislokationstäthet med snäv HR-XRD gungkurvkontroll

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) och N-face MP för epi-färdiga ytor

• Flera storlekar och kvalitetsklasser (P / R / D) för att matcha produktions- och forskningskrav

2. Typiska tillämpningar

• Högeffekts RF-enheter för radar- och 6G-kommunikation

• Högspänningskraftelektronik för elnät, datacenter och elfordon

• Djup-ultravioletta (UVC) lysdioder och laserdioder

• GaN-on-AlN epitaxiell tillväxt och avancerade heterostrukturenheter

• Halvledarkomponenter med hög temperatur, hög frekvens och tuff miljö

3. Tillgängliga storlekar och kvalitetsklasser

VeTek erbjuder AlN wafers i följande standardformat. Anpassade storlekar och specifikationer kan diskuteras på begäran.

• 10 × 10 mm kvadratiska underlag

• 1-tums (25,4 mm) wafers

• 2-tums (50,8 mm) wafers

Kvalitetsgrader: P-grade (Produkt), R-grade (Forskning), D-grade (Experimentell), differentierade främst av HR-XRD rocking-curve FWHM och övergripande kristallkvalitet.

4. Viktiga tekniska specifikationer

Vanliga parametrar för olika storlekar (typiska värden; gradberoende där det anges):

Storleksspecifika geometriska toleranser:

• 10×10 mm: Sidolängd 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Bow ≤ 15 μm

• 1-tum: Diameter 25,4 mm ± 0,5 mm; Användbar yta ≥ 90 %; TTV ≤ 20 μm; Båge ≤ 20 μm; Primär platt (10-10) ± 5°, längd 8 mm ± 1 mm

• 2-tum: Diameter 50,8 mm ± 0,5 mm; Användbar yta ≥ 90 %; TTV ≤ 30 μm; Båge ≤ 30 μm; Primär plan längd 16 mm ± 2 mm

5. Varför välja VeTek AlN Wafers?

Som en specialiserad leverantör av avancerade halvledarmaterial och komponenter tillhandahåller VeTek Semiconductor:

• Högkvalitativa AlN enkristallwafers med kontrollerad kristallkvalitet och epi-färdiga ytor

• Flera storlekar och klassalternativ för att stödja både enhetsproduktion och forskningsprogram

• Kompletterande wafer- och substratlösningar under VeTek-portföljen av halvledarmaterial

• Teknisk support för materialval och processmatchning

Våra AlN-skivor hjälper kunder att påskynda utvecklingen av högeffekts RF, högspänningskraft och djup-UV optoelektroniska enheter som kräver den unika kombinationen av ultrabredt bandgap, hög värmeledningsförmåga och GaN-kompatibilitet som erbjuds av aluminiumnitrid.