SIC enstaka kristalltillväxtprocess reservdelar

Veteksemicons produkt,Tantal Carbide (TAC) beläggningProdukter för SIC -enkristalltillväxtprocess, hanterar de utmaningar som är förknippade med tillväxtgränssnittet för kiselkarbidkristaller, särskilt de omfattande defekter som förekommer vid kristallens kant. Genom att applicera TAC -beläggning syftar vi till att förbättra kristalltillväxtkvaliteten och öka det effektiva området i kristallens centrum, vilket är avgörande för att uppnå snabb och tjock tillväxt.

TAC-beläggning är en kärnteknologisk lösning för att växa högkvalitativSic enkristalltillväxtprocess. Vi har framgångsrikt utvecklat en TAC -beläggningsteknik med kemisk ångavsättning (CVD), som har nått en internationellt avancerad nivå. TAC har exceptionella egenskaper, inklusive en hög smältpunkt på upp till 3880 ° C, utmärkt mekanisk styrka, hårdhet och termisk chockmotstånd. Den uppvisar också god kemisk inerthet och termisk stabilitet när den utsätts för höga temperaturer och ämnen som ammoniak, väte och kiselinnehållande ånga.

VekekiconsTantal Carbide (TAC) beläggningErbjuder en lösning för att ta itu med de kantrelaterade problemen i SIC-enstaka tillväxtprocessen, vilket förbättrar kvaliteten och effektiviteten i tillväxtprocessen. Med vår avancerade TAC-beläggningsteknik strävar vi efter att stödja utvecklingen av tredje generationens halvledarindustri och minska beroendet av importerade nyckelmaterial.

PVT -metod Sic enkelkristalltillväxtprocess reservdelar:

TAC -belagd degel, fröhållare med TAC -beläggning, TAC -beläggningsguidering är viktiga delar i SIC och AIN Single Crystal Furnace med PVT -metoden.

● Hög temperaturmotstånd

●  Hög renhet, förorenar inte SIC -råvaror och SIC -enstaka kristaller.

●  Motståndskraftig mot ånga och n₂korrosion

●  Hög eutektisk temperatur (med ALN) för att förkorta kristallberedningscykeln.

●  Återvinningsbart (upp till 200 timmar) förbättrar det hållbarheten och effektiviteten i beredningen av sådana enstaka kristaller.