Sic belagd fat susceptor

Vetek Semiconductor är en ledande Kina SIC -beläggning och TAC -beläggningstillverkare, leverantör och exportör. Att följa strävan efter perfekt kvalitet på produkterna, så att vår SIC -belagda fat -susceptor har nöjts av många kunder. Extrem design, kvalitetsråvaror, hög prestanda och konkurrenskraftigt pris är vad varje kund vill ha, och det är också vad vi kan erbjuda dig. Naturligtvis är det också viktigt med vår perfekta eftermarknadsservice. Om du är intresserad av våra SiC Coated Barrel Susceptor-tjänster kan du rådfråga oss nu, vi kommer att svara dig i tid!

Vetek Semiconductor Sic Coated Barrel Susceptor används främst för LPE SI EPI -reaktorer

LPE (Liquid Phase Epitaxy) kiselepitaxi är en vanligen använd halvledarepitaxial tillväxtteknik för att avsätta tunna lager av enkristallkisel på kiselsubstrat. Det är en vätskefas-tillväxtmetod baserad på kemiska reaktioner i en lösning för att uppnå kristalltillväxt.

Den grundläggande principen för LPE-kiselepitaxi innebär att substratet sänks ned i en lösning som innehåller det önskade materialet, kontrollerar temperatur och lösningssammansättning, vilket låter materialet i lösningen växa som ett enkristalligt kiselskikt på substratytan. Genom att justera tillväxtförhållandena och lösningens sammansättning under epitaxiell tillväxt kan önskad kristallkvalitet, tjocklek och dopningskoncentration uppnås.

LPE Silicon Epitaxy erbjuder flera egenskaper och fördelar. För det första kan den utföras vid relativt låga temperaturer, vilket minskar termisk stress och föroreningsdiffusion i materialet. För det andra ger LPE Silicon Epitaxy hög enhetlighet och utmärkt kristallkvalitet, lämplig för tillverkning av högpresterande halvledarenheter. Dessutom möjliggör LPE -teknik tillväxt av komplexa strukturer, såsom flerskikt och heterostrukturer.

I LPE -kiselepitaxi är SIC -belagd fatsusceptor en avgörande epitaxial komponent. Det används vanligtvis för att hålla och stödja de kiselsubstrat som krävs för epitaxiell tillväxt samtidigt som temperatur- och atmosfärskontrollen ger. SIC-beläggningen förbättrar hög temperaturens hållbarhet och kemisk stabilitet hos SUSCECESOR, och uppfyller kraven i den epitaxiella tillväxtprocessen. Genom att använda den SIC-belagda fatens susceptor kan effektiviteten och konsistensen av epitaxial tillväxt förbättras, vilket säkerställer tillväxten av högkvalitativa epitaxiella skikt.

Grundläggande fysiska egenskaper hos CVD SIC -beläggning

CVD SIC FILM KRISTALSTRUKTUR

Det halvledareSiC Coated Barrel Susceptor produktionsbutiker