CVD TAC belagd trepetallguidring

Kiselkarbid -enstaka kristallsubstratmaterial är ett slags kristallmaterial, som tillhör bredt bandgap halvledarmaterial. Det har fördelarna med högspänningsmotstånd, hög temperaturmotstånd, hög frekvens, låg förlust, etc. Det är ett basmaterial för beredning av högeffekte elektroniska enheter och mikrovågsradiofrekvensenheter. För närvarande är de viktigaste metoderna för växande SIC -kristaller fysisk ångtransport (PVT -metod), hög temperaturkemisk ångavsättning (HTCVD -metod), vätskefasmetod etc.

Metoden Physical Vapor Transport (PVT) är en väl etablerad teknik som är mycket lämplig för storskalig industriproduktion. I denna process placeras en SiC -frökristall på toppen av degeln, medan SiC -pulver, som fungerar som råmaterial, placeras i degeln. Under förhållandena med hög temperatur och lågt tryck i en stängd miljö sublimerar SiC -pulvret. Drivet av temperaturgradienten och koncentrationsskillnaden rör sig den sublimerade arten uppåt mot regionen nära frökristallen. När de når ett övermättat tillstånd inträffar omkristallisering, vilket möjliggör exakt kontroll över storleken och den specifika kristalltypen för de odlade SIC -kristallerna.

CVD TAC belagda tre - Petal Guide Ring serverar flera avgörande funktioner. I första hand förbättrar det vätskemekanik genom att vägleda gasflödet och säkerställa att kristalltillväxtområdet utsätts för en enhetlig atmosfär. Dessutom sprider den effektivt värme under SIC -kristalltillväxtprocessen. Genom att bibehålla lämplig temperaturgradient optimerar den tillväxtförhållandena för SIC -kristaller och mildrar risken för kristalldefekter orsakade av ojämn temperaturfördelning.