SIC -belagd tätningsring för epitaxi

Ⅰ. Vad är SIC -belagd tätningsring?

SiC -belagd tätningsring (kiselkarbidbelagd tätningsring) är en precisionsförslutningskomponent utformad för hög temperatur, mycket frätande halvledarprocessmiljöer. Kärnan är genom den kemiska ångavsättningen (CVD) eller fysisk ångavsättning (PVD), grafit- eller kolkompositmaterial substratytan jämnt täckt med ett lager av högrenoverat kiselkarbidbeläggning, bildningen av både den mekaniska styrkan hos substratet och beläggningen av tätningsegenskaper med hög prestanda.  

Ⅱ. Produktkomposition och kärnteknik  

1. Substratmaterial:

Grafit- eller kolkolsammansatt material: Basmaterialet har fördelen med hög värmebeständighet (kan tåla mer än 2000 ℃) och låg värmekoefficient, vilket säkerställer dimensionell stabilitet under extrema förhållanden såsom hög temperatur.  

Precisionsbearbetningsstruktur: Precisionsringsdesignen kan anpassas perfekt till hålrummet för halvledarutrustning, vilket säkerställer planheten hos tätningsytan och god lufttäthet.  

2. Funktionell beläggning:  

SIC -beläggning med hög renhet (renhet ≥99,99%): Tjockleken på COAing är vanligtvis 10-50μm, genom CVD-processen för att bilda ett skikt av tät icke-porös ytstruktur, vilket ger tätningsringen utmärkt kemisk inerthet och mekaniska egenskaper.

Ⅲ. Kärna fysiska egenskaper och fördelar

Veteksemicons SIC-belagda tätningsringar är idealiska för halvledarpitaxprocesser på grund av deras utmärkta prestanda under extrema förhållanden. Nedan följer produktens specifika fysiska egenskaper:

Iv. Kärnapplikationer i halvledarens epitaxybehandling  

SiC -belagd tätningsring används huvudsakligen i MOCVD (metallorganisk kemisk ångavsättning) och MBE (molekylär strålepitax) och annan processutrustning, specifika funktioner inkluderar:  

1. Halvledarutrustning Reaktionskammarens lufttäthetsskydd

Våra SIC-belagda tätningsringar säkerställer att de dimensionella toleranserna (vanligtvis inom ± 0,01 mm) från gränssnittet med utrustningskammaren (t.ex. fläns, basaxel) är så små som möjligt genom att anpassa ringstrukturen. 

Samtidigt bearbetas tätningsringen med hjälp av CNC -maskinverktyg för att säkerställa en enhetlig passning runt hela omkretsen av kontaktytan, vilket eliminerar mikroskopiska luckor. Detta förhindrar effektivt läckaget av processgaser (t.ex. H₂, NH₃), säkerställer renheten i den epitaxiala skiktets tillväxtmiljö och förbättrar skivutbytet.  

Å andra sidan kan god gastäthet också blockera intrång av yttre föroreningar (O₂, H₂O), vilket effektivt undviker defekter i det epitaxiella skiktet (såsom dislokationer, ojämn doping av föroreningar).  

2. Dynamisk tätningsstöd för hög temperatur  

Att anta principen om substratbeläggningssynergistisk antideformation: på grund av grafitunderlagets låga värmeutvidgningskoefficient (CTE ≈ 4,5 × 10-⁶/° C) är mycket liten, och vid extremt temperaturer (＞ 1000 ℃) är expansionen endast 1/5 av mängden metalltätningar, således för att undvika ytan som orsakas genom att de orsakas genom att de orsakas genom att de är en mängden metalltätning. Kombinerat med den ultrahöga hårdheten hos SIC-beläggningen (HV2500 eller mer) kan den effektivt motstå repor på tätningsytan orsakad av mekanisk vibration eller påverkan av partiklar och upprätthålla mikroskopisk planhet.

V. Underhållsrekommendationer

1. Kontrollera regelbundet tätningsytan (kvartalsvis optisk mikroskopinspektion rekommenderas) för att undvika plötsligt misslyckande.  

2. Använd speciella rengöringsmedel (såsom vattenfri etanol) för att ta bort avlagringar, förbjuda mekanisk slipning för att förhindra skador på SIC -beläggningen.