CVD SIC -beläggningsmunstycke

VeTek Semiconductor är en specialiserad tillverkare av CVD SiC beläggningstillbehör för epitaxiella enheter som CVD SiC Coating halvmånedelar och dess tillbehör CVD SiC Coating Nozzels.Välkommen att fråga oss.

PE1O8 är ett helautomatiskt kassetter till kassettsystem designat för att hanteraSiC-skivorupp till 200 mm. Formatet kan växlas mellan 150 och 200 mm, vilket minimerar verktygets stilleståndstid. Minskningen av uppvärmningssteg ökar produktiviteten, medan automatisering minskar arbetskraft och förbättrar kvalitet och repeterbarhet. För att säkerställa en effektiv och kostnadseffektiv epitaxiprocess rapporteras tre huvudfaktorer: 

● Snabb process;

● Hög enhetlighet i tjocklek och doping;

● Minimering av defektbildning under epitaxiprocessen. 

I PE1O8 tillåter den lilla grafitmassan och det automatiska lastnings-/avlastningssystemet en standardkörning att slutföras på mindre än 75 minuter (standarden 10 μm Schottky-diodformulering använder en tillväxthastighet på 30 μm/h). Automatiskt system möjliggör lastning/lossning vid höga temperaturer. Som ett resultat är uppvärmnings- och nedkylningstiderna korta, samtidigt som bakningssteget har förhindrats. Detta idealiska tillstånd tillåter tillväxt av äkta odopade material.

I processen med kiselkarbidpitaxi spelar CVD SiC -beläggningsmunstycken en avgörande roll i tillväxten och kvaliteten på epitaxiella skikt. Här är den utvidgade förklaringen av munstyckets roll ikiselkarbidepitaxi:

● Gasförsörjning och kontroll: Munstycken används för att leverera den gasblandning som krävs under epitaxi, inklusive källgas av kisel och gas från kolkälla. Genom munstyckena kan gasflödet och förhållandena kontrolleras exakt för att säkerställa enhetlig tillväxt av epitaxialskiktet och den önskade kemiska sammansättningen.

● Temperaturkontroll: Munstycken hjälper också till att kontrollera temperaturen i epitaxireaktorn. I kiselkarbidepitaxi är temperaturen en kritisk faktor som påverkar tillväxthastigheten och kristallkvaliteten. Genom att tillföra värme eller kylgas genom munstyckena kan växttemperaturen för det epitaxiella skiktet justeras för optimala växtförhållanden.

● Gasflödesfördelning: Utformningen av munstyckena påverkar den enhetliga fördelningen av gas i reaktorn. Uniform gasflödesfördelning säkerställer enhetligheten i det epitaxiella skiktet och en konsekvent tjocklek, och undviker problem relaterade till materialkvalitets icke-enhetlighet.

● Förebyggande av föroreningar: Korrekt design och användning av munstycken kan hjälpa till att förhindra föroreningar under epitaxiprocessen. Lämplig munstycksdesign minimerar sannolikheten för att externa föroreningar kommer in i reaktorn, vilket säkerställer renheten och kvaliteten på det epitaxiella lagret.

CVD SIC COATING FILM KRISTALSTRUKTUR:

Grundläggande fysiska egenskaper hos CVD SIC -beläggning: