4 ° utanför axeln P-typ Sic Wafer

Som en professionell halvledartillverkare i Kina, Vetek Semiconductor 4 ° Off Axis P-TypeSic waferAvser 4H kiselkarbid (SIC) skivor som avviker 4 ° från kristallens huvudkristallriktning (vanligtvis C-axeln) vid skärning och genomgår p-typ doping. Denna produkt används vanligtvis vid tillverkning av kraftelektroniska enheter och radiofrekvens (RF) -enheter i halvledarindustrikedjan och har utmärkta produktfördelar.

Genom off-axis skärning kan VeTek Semiconductors 4° off-axel p-typ SiC Wafer effektivt minska dislokationer och defekter som genereras under tillväxten av det epitaxiella lagret, och därigenom förbättra kvaliteten på wafern. Dessutom hjälper 4° Off-Axis-orienteringen till att skapa ett mer enhetligt och defektfritt epitaxiellt lager, förbättrar kvaliteten på det epitaxiella lagret och är generellt lämpligt för tillverkning av högpresterande enheter.

Dessutom kan VeTek Semiconductors 4° off-axel p-typ SiC Wafer-produkter göra att wafern har fler hålbärare och bildar en P-typ halvledare genom att dopa acceptorföroreningar (som aluminium eller bor). P-typ 4H-SiC-skivor används ofta vid tillverkning av kraftenheter som kräver ett lager av P-typ. Denna typ av halvledare har utmärkta elektriska egenskaper.

Jämfört med andra polymorfer som 6H-SIC,4H-SIChar högre elektronmobilitet och nedbrytning av elektrisk fältstyrka och är lämplig för högfrekventa och högeffektiska scenarier. Dessutom har 4H-SIC-material utmärkta högspännings- och högtemperaturmotstånd och kan fungera normalt i hårda miljöer.

2 tum 4 tum 4° av axeln p-typ SiC Wafer Storleksrelaterade standarder：

6 tum 4 ° utanför axeln P-typ Sic Wafer Size-relaterade standarder：

4 ° offsaxel P-typ Sic Wafer Detection Methods and Terminology：

Vetek Semiconductor har redan 4 ° av axeln P-typ 4H-SIC-underlag från 2 ~ 6 tum.Underlaget är dopat med aluminium och ser blått ut. Resistiviteten sträcker sig från 0,1 till 0,7Ω•cm. 

Om du har produktkrav för 4° utanför axeln p-typ SiC Wafer, välkommen att rådfråga oss.