4h N-typ SIC-underlag

Vetek Semiconductor4h N-typ SIC-underlagprodukter har utmärkta elektriska, termiska och mekaniska egenskaper, så denna produkt används i stor utsträckning vid bearbetning av halvledarenheter som kräver hög effekt, hög frekvens, hög temperatur och hög tillförlitlighet.

Den elektriska fältstyrkan för nedbrytning av 4H N-typ SIC är så hög som 2,2-3,0 mV/cm. Denna produktfunktion gör det möjligt för tillverkning av mindre enheter att hantera högre spänningar, så vårt 4h N-typ SIC-substrat används ofta för att tillverka MOSFETS, Schottky och JFETS.

Värmeledningsförmågan hos 4H N-typ SIC-skivan är cirka 4,9 W/cm · K, vilket hjälper till att effektivt sprida värme, minska värmeansamlingen, förlänga anordningslivslängden och är lämplig för applikationer med hög effektdensitet.

Dessutom kan Vetek Semiconductor 4H N-typ SIC-skiva fortfarande ha stabil elektronisk prestanda vid temperaturer upp till 600 ° C, så det används ofta för att tillverka sensorer med högt temperatur och är mycket lämplig för extrema miljöer.

Genom att odla ett kiselkarbid-epitaxialt skikt på ett kisel-karbidsubstrat av N-typ kan kiselkarbidhomoepitaxial skiva görs ytterligare till kraftenheter som SBD, MOSFET, IGBT, etc., som används i elektriska fordon, järnvägstransporter, hög -Power -överföring och omvandling, etc.

Vetek Semiconductorfortsätter att sträva efter högre kristallkvalitet och bearbetningskvalitet för att möta kundernas behov. För närvarande finns både 6-tums och 8-tums produkter tillgängliga. Följande är de grundläggande produktparametrarna för 6-tums och 8-tums SIC-substrat:

6 lnch N-typ SiC-substrat GRUNDLÄGGANDE PRODUKTSPECIFIKATIONER:

8 LNCH N-Typ SiC-substrat BASIC-produktsspecifikationer:

4h N-typ SIC-substratdetekteringsmetod och terminologi: